На конференции Future of Memory and Storage (FMS) компании Kioxia и Sandisk представили новую флэш-память BiCS10 3D QLC NAND, установившую мировой рекорд по плотности хранения данных среди официально анонсированных микросхем NAND. По заявлению разработчиков, новый чип обеспечивает плотность 37 Гбит/мм², что заметно выше показателя недавно представленной памяти BiCS10 3D TLC NAND.
Новая микросхема получила 332 активных слоя и поддерживает интерфейс со скоростью до 4800 МТ/с, а также технологию Separate Command Address (SCA), повышающую эффективность передачи данных. Производители не раскрыли емкость самого чипа, однако предполагается, что при аналогичных размерах кристалла она может превышать 1 Тбит.
BiCS10 3D QLC NAND создавалась прежде всего для SSD корпоративного класса, предназначенных для центров обработки данных и систем искусственного интеллекта, где особенно важны максимальная емкость накопителей, высокая производительность и энергоэффективность. Для снижения энергопотребления Kioxia и Sandisk также внедрили фирменную технологию PI-LTT, которая уменьшает расход энергии высокоскоростных интерфейсов без ухудшения качества сигнала.
Компании отмечают, что новая архитектура BiCS10 должна не только обеспечить рекордную плотность хранения, но и снизить стоимость производства после выхода технологии на массовый уровень. Это позволит выпускать SSD сверхвысокой емкости по более конкурентоспособным ценам или повысить рентабельность их производства.
На данный момент Kioxia и Sandisk планируют использовать BiCS10 3D QLC NAND преимущественно в накопителях для дата-центров и ИИ-инфраструктуры. О сроках появления этой памяти в потребительских SSD производители пока не сообщают.
