В отличие от традиционного кремния, который достигает физических пределов в высоковольтных и высокотемпературных средах, карбид кремния обладает выдающейся теплопроводностью и электрической прочностью. Ученые ЛЭТИ не просто использовали этот материал, но и разработали уникальную топологию чипа и технологический маршрут производства, адаптированный под производственные мощности отечественных предприятий. Это позволяет транзистору сохранять стабильность электрических свойств при колоссальных нагрузках, в условиях радиации и экстремальных температур, где обычная электроника выходит из строя.
Области применения новинки охватывают ключевые отрасли экономики. В энергетике устройство станет основой для более эффективных инверторов и преобразователей. В автомобилестроении, особенно в сегменте электромобилей, оно позволит повысить КПД систем управления двигателями и зарядных устройств. Кроме того, исключительная надежность делает компонент незаменимым для космической и авиационной техники.
Проект реализуется в тесном сотрудничестве с индустриальным партнером – ГК «Элемент» – через совместное предприятие «ЛЭТИЭЛ» и при поддержке Фонда перспективных исследований и Минобрнауки России в рамках программы развития университета «Приоритет-2030».
