Samsung активно ускоряет разработку своей новой технологии памяти Selector-Only Memory (SOM), которая обещает объединить энергонезависимость флэш-памяти и высокую скорость DRAM, создавая новый стандарт производительности и плотности хранения данных. Это делает SOM особенно интересной для будущих рынков памяти, где можно будет легко комбинировать чипы для увеличения плотности.
Основная идея SOM — использование уникальных халькогенидных материалов, которые одновременно выступают как ячейки памяти и селекторные устройства. В отличие от других типов памяти, где для активации ячеек требуются отдельные компоненты, такие как транзисторы, халькогенидные материалы в SOM сами могут переключаться между проводящим и резистивным состояниями, сохраняя данные.
Не все халькогениды, однако, подходят для этой задачи: материал должен обладать правильными свойствами для надежного хранения данных и устойчивого переключения состояний. Чтобы найти лучшие составы, Samsung использует сложное компьютерное моделирование, которое помогает проанализировать около 4000 возможных халькогенидных смесей. Такой объем экспериментов был бы невероятно дорогим и долгим, если бы выполнялся в лабораториях, поэтому исследователи Samsung сократили список кандидатов до 18 ключевых составов, использовав виртуальные симуляции для оценки тепловой стабильности, электрического поведения и других важных параметров.
Модели учитывали такие факторы, как дрейф порогового напряжения и «окно памяти», чтобы выявить лучшие составы для длительной надежной работы. Samsung утверждает, что их критерии моделирования значительно упростили выбор самых многообещающих материалов.
Samsung планирует представить результаты своих исследований на Международной конференции по электронным приборам (IEDM) в декабре. Этот подход к моделированию может дать компании весомое преимущество в гонке за вывод SOM на рынок, особенно учитывая, что на прошлой конференции IEDM Samsung уже продемонстрировала 64-гигабитный чип SOM с размером ячеек всего 16 нм, подтвердив его потенциал в качестве нового лидера в области плотной памяти.
