Ученые из Фуданьского университета в Шанхае представили новый тип двумерной флэш-памяти, способной хранить данные с использованием всего одного электрона при комнатной температуре. По словам исследователей, разработка может стать важным шагом к созданию гораздо более энергоэффективных устройств хранения информации.
Современным микросхемам памяти для надежного хранения одного бита данных требуется около 200 тысяч электронов. Из-за этого обработка больших объемов информации сопровождается заметным энергопотреблением. Новая технология предлагает принципиально иной подход, позволяющий уменьшить необходимое количество электронов до одного.
Добиться этого удалось благодаря новой архитектуре памяти на основе сверхтонкого двумерного материала — графена. Команда профессора Чжоу Пэна смогла значительно усилить сигнал от одиночного электрона, доведя его примерно до 0,5 вольта. Для сравнения, большинство подобных экспериментальных систем регистрируют лишь десятки милливольт.
Разработка получила название Guiyi («Возвращение к единству»). Помимо хранения данных на уровне отдельных электронов, технология позволяет точнее управлять квантовыми состояниями, что в перспективе может увеличить плотность записи информации на одном чипе.
Исследователи рассчитывают вывести разработку на рынок в течение ближайших пяти лет. Для этого команда планирует создать отдельную компанию и подготовить технологию к массовому производству. По мнению авторов проекта, подобные микросхемы способны существенно изменить индустрию хранения данных и приблизить появление смартфонов, способных запускать сложные модели искусственного интеллекта без обращения к облачным вычислениям.
