Специалисты Университета науки и технологий короля Абдаллы (KAUST) преодолели ключевое ограничение современной микроэлектроники — невозможность надежного вертикального размещения множества функциональных слоев. Традиционные высокотемпературные процессы разрушали нижние слои при добавлении новых, что ограничивало архитектуру двумя слоями.
Чип сочетает неорганические материалы (оксид индия n-типа) с органическими соединениями, создавая гибридную КМОП-архитектуру. Особое внимание уделялось подготовке поверхностей — идеально гладкие и выровненные интерфейсы обеспечивают эффективную передачу сигналов между слоями.
Технология особенно перспективна для гибкой носимой электроники, медицинских имплантатов и интернета вещей, где требуются компактные размеры и энергоэффективность. Хотя разработка пока находится на стадии прототипа, она демонстрирует возможность создания стабильных многослойных структур, не уступающих по надежности традиционным чипам. Исследование опубликовано в Nature Electronics.
