Ключевым аспектом технологии является контроль количества ионов галлия, воздействующих на поверхность чипа. Регулируя этот параметр, исследователи могут направленно стимулировать или подавлять рост наноструктур, добиваясь высокой точности расположения. Никита Шандыба, младший научный сотрудник ЮФУ, подчеркивает, что новый подход исключает сложные промежуточные этапы и снижает стоимость производства.
Полученные наноструктуры демонстрируют отличные оптические свойства и эффективно излучают свет при комнатной температуре, что критически важно для оптоэлектроники и кремниевой фотоники. В качестве демонстрации точности метода, на чипах были созданы микроскопические изображения логотипа ЮФУ и аббревиатуры университета.
Разработчики планируют перейти к созданию прототипов устройств и интеграции технологии в производственные процессы. Максим Солодовник, руководитель направления, отмечает, что в перспективе технология может использоваться для создания компактных лазеров, высокочувствительных сенсоров и оптических вычислительных систем.
Исследование опубликовано в авторитетном журнале Journal of Alloys and Compounds и выполнено с использованием оборудования Центра коллективного пользования ЮФУ.
