В эксперименте два магнитных слоя не соприкасаются, но взаимодействуют магнитно. При изменении расстояния между слоями, регулирующем нагрузку, верхние магниты переориентируются, вызывая гистерезисные переключения и усиленное рассеяние энергии. Это приводит к выраженному максимуму трения на средних расстояниях, где магнитные предпочтения слоев конфликтуют.
Немонотонное магнитное трение возникает исключительно из-за внутренней магнитной перестройки, без износа или контакта.
Этот эффект применим к атомарно тонким магнитным материалам и открывает возможности для создания регулируемых бесконтактных фрикционных интерфейсов, адаптивных демпферов и новых магнитных устройств.
