Сегодня, один из ведущих производителей оперативной памяти компания SK hynix представила первую в мире серию модулей памяти стандарта DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory. К сожалению, это решение не предназначено для домашнего использования или создания рабочих станций — новинка будет использоваться в передовых дата-центрах.
По словам представителей компании, новая оперативная память оптимизирована для работы в системах применяющих искусственный интеллект, и при её разработки применены технологии оптимизирующие процесс обработки данных неросетями. Ключевыми отличиями от DDR4 называется увеличенная пропускная способность контактов (4800–5600 Мбит/с на каждый контакт, что в 1,8 раза выше) и сниженное энергопотребление — с 1,2 до 1,1 В. В купе мы получаем гораздо большую энергетическую эффективность.
Не обошлись новые планки без технологии коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code, которые, по заверениям производителя, работают на 20% эффективнее, по сравнению с предыдущим поколением.
Максимально возможный объем одного модуля составляет 256Гб (против 128Гб у DDR4). Учитывая, что ранее были успешные попытки создания модулей объемом 512Гб можно ожидать и более вместительных решений.
