Ранее в этом году Samsung выпустила серию Galaxy S23 в качестве своего первого флагмана за многие годы, отказавшегося от чипов Exynos и вместо этого использующего Qualcomm Snapdragon в глобальном масштабе. Судя по всему, Galaxy S23 FE будет делать прямо противоположное, используя Exynos во всех регионах.
Galaxy S23, S23+ и S23 Ultra построены на базе специальной версии Snapdragon 8 Gen 2, разработанной специально для Samsung. Чип используется во всем мире, тогда как в прошлые годы Samsung использовала чипы Snapdragon только в таких регионах, как Корея и США. В других странах, например, в Европе, Samsung обычно оставляла своим пользователям чипы Exynos, что часто приводило к множеству проблем с программными сбоями, перегревом или чем-то похуже.
Ожидается, что в обозримом будущем Samsung будет придерживаться этой модели только на Snapdragon, но это не будет применяться ко всем устройствам. Сразу несколько авторитетных источников заявляют, что Galaxy S23 FE, более доступное "флагманское" устройство, планируется выпустить в четвертом квартале этого года, будет базироваться на чипах Exynos.
Речь идет о самой мощной версии Exynos 2200, который использовался в серии Galaxy S22 в некоторых регионах и привел партнерство Samsung с AMD к созданию графического процессора. Чип не был хорошо принят, но он все еще может выполнять свою работу.
Использование Exynos в глобальном масштабе для Galaxy S23 FE, безусловно, является последствиями того, что ранее компания так публично признала превосходство решений от Qualcomm. На сегодняшний день единственные смартфоны "флагманского уровня", продаваемые на всех рынках с чипами Exynos, технически производятся Google, поскольку чипы Tensor в значительной степени основаны на устройствах Exynos . В последний раз Samsung продавала флагман с Exynos во всем мире было в эпоху Galaxy S6. Это было связано с тем, что в то время разработки Qualcomm имели проблемы с перегревом.
О самом Galaxy S23 FE известно не так много. Смартфон будет поставляться с 50-мегапиксельной основной камерой, батареей емкостью 4500 мАч и с объемами памяти 128 или 256 ГБ.
