К 2030 году TSMC планирует интегрировать более 1 триллиона транзисторов на один кристалл

14.10.2024

Дорожная карта TSMC показывает развитие передовых полупроводниковых процессов: разработка на 1 нм техпроцессе и планирование производства чипов с плотностью до более 1 триллиона транзисторов на кристалле к 2030 году

На волнующей конференции IEDM 2023, где передовые технологии и инновации в полупроводниковой отрасли привлекают внимание, компания TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) представила свою стратегическую дорожную карту, предвосхищая перспективы своего полупроводникового портфеля весьма амбициозными планами на ближайшее десятилетие.

Анализируя представленные перспективы, TSMC выражает уверенность в правильном направлении развития своих процессов. Планы дебюта процессов N2 и N2P намечены на период с 2025 по 2027 годы, в то время как передовые процессы A10 (1 нм) и A14 (1,4 нм) запланированы в интервале с 2027 по 2030 год. Компания, нацеленная не только на уменьшение размера процессов, но и на широкий спектр успехов в полупроводниковых технологиях, явно намечает себе статус ориентира для всей отрасли.

Невероятный потенциал инноваций, представленных на дорожной карте TSMC, подчеркивает переход рынка полупроводников к уникальным микросхемным конструкциям, что само по себе приобретает захватывающие перспективы для будущего этого динамичного сектора технологий. Такие стратегические инициативы предвещают не только технологическую эволюцию, но и возможные переосмысления подходов к производству полупроводников, что может заметно повлиять на глобальную картину индустрии.

Теги: