Международная группа исследователей, во главе с KAUST, обнаружила новый подход к созданию высокопроизводительных устройств памяти, вдохновленных мозгом. Этот подход основан на опосредованном протонами методе, вызывающем множественные фазовые переходы в сегнетоэлектрических материалах, таких как селенид индия.
Сегнетоэлектрические материалы обладают способностью менять полярность под воздействием электрического поля, что делает их перспективными для создания технологии памяти. Однако они имеют ограниченную емкость, поэтому исследователи решили разработать метод для создания множества сегнетоэлектрических фаз с разной степенью протонирования.
Исследователи нанесли пленку селенида индия на гетероструктуру на кремниевой основе, где слой платины функционировал как электроды, а пористый кремнезем служил электролитом, поставляя протоны в сегнетоэлектрическую пленку. Путем изменения напряжения ученые управляли протонированием материала и создавали несколько сегнетоэлектрических фаз.
Важно отметить, что при отключении напряжения сегнетоэлектрические фазы возвращались в исходное состояние, что открывает новые возможности для разработки устройств памяти с низким энергопотреблением и высокой эффективностью. Снижение рабочего напряжения является значимым фактором для разработки нейроморфных вычислительных чипов, которые потребляют меньше энергии и работают быстрее.
Это открытие может привести к новому поколению высокоэффективных устройств памяти и нейроморфных чипов, обладающих свойствами самовосстановления и превосходной производительностью, что переведет разработку компьютерных технологий на новый уровень.